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西安科技大學(xué)的何麟等[26]原位插層聚合法制備了聚吡咯 PPy/膨脹石墨復(fù)合電磁屏蔽材料,其在 2~18 GHz 頻率范圍,屏蔽效能為 25.7 dB,有一定屏蔽效果。阿拉善職業(yè)技術(shù)學(xué)院的傘桂艷等[27]以丙烯腈-丙烯酸丁酯-苯乙烯共聚物(AAS)為基體,采用溶液分散法制備了 AAS/功能化石墨烯(GPNs)復(fù)合材料,在2~18 GHz 頻率范圍,電磁屏蔽效能大于 20 dB。大連工業(yè)大學(xué)的王艷等[28]采用 3D 打印和浸漬的方法,制備了多孔、高內(nèi)表面積的 CNTs/聚乳酸 PLA 復(fù)合電磁屏蔽材料,提高了吸收損耗和多次反射衰減,屏蔽效能達(dá) 40 dB,屏蔽性能中等。大連工業(yè)大學(xué)的趙新宇等[29]制備連續(xù)通孔的 CNTs/環(huán)氧樹(shù)脂復(fù)合電磁屏蔽材料,提高吸收損耗,也降低了材料密度,電磁屏蔽效能達(dá) 39.2 dB,屏蔽性能中等。中國(guó)民航飛行學(xué)院的秦文峰等[30]通過(guò)真空抽濾和物理粘結(jié)法,制備了多壁碳納米管 MWCNTs 導(dǎo)電紙/碳纖維復(fù)合電磁屏蔽材料,具有質(zhì)量輕的優(yōu)勢(shì),提高了反射損耗,在 8~12 GHz 范圍內(nèi),電磁屏蔽效能達(dá) 35.2 dB,屏蔽性能中等。Li Y 等通過(guò)噴霧干燥法制備石墨烯 GN/丁苯橡膠 SBR 的納米復(fù)合材料,電磁屏蔽效能達(dá) 45 dB,屏蔽性能中等[18]。成都理工大學(xué)的劉揚(yáng)等[31]以鍍 Ni-Cu-La-B 玻璃纖維、片狀鎳粉以及丙烯酸樹(shù)脂制備了電磁屏蔽復(fù)合涂料,極大地提高了反射損耗。當(dāng)添加 6%玻璃纖維時(shí),能顯著改善電磁性能;在 0.3~1 000 MHz 范圍,電磁屏蔽性能達(dá) 64.28 dB,屏蔽性能良好。同時(shí),電磁屏蔽效能與填料的粒徑密切相關(guān)。Jalali M 等[32]分析了不同粒徑的鐵,鈷,鎳和氧化鐵納米顆粒作為填料對(duì)復(fù)合材料電磁屏蔽的影響。其中,在 8.2~12.4 GHz 范圍內(nèi),50 nm 的鐵納米顆粒能夠?qū)⑻祭w維/聚合物復(fù)合材料的屏蔽效率從 30 dB 提高至 45 dB。
2.4本征型導(dǎo)電聚合物電磁屏蔽材料
本征型導(dǎo)電聚合物電磁屏蔽材料是由具有共軛鍵的絕緣高分子通過(guò)化學(xué)或電化學(xué)的方法與摻雜劑進(jìn)行電荷轉(zhuǎn)移復(fù)合而成,在高分子分子鏈中產(chǎn)生載流子并在分子鏈間形成導(dǎo)電通道,從而轉(zhuǎn)變成了具有一定電導(dǎo)率的導(dǎo)體;通過(guò)反射損耗和吸收損耗實(shí)現(xiàn)電磁屏蔽的目的。具有密度小、耐腐蝕、強(qiáng)度高等優(yōu)點(diǎn)。目前,本征型導(dǎo)電聚合物有聚苯 PAN、聚吡咯 PPY、聚噻吩 PTH 等。