西安科技大學的何麟等[26]原位插層聚合法制備了聚吡咯 PPy/膨脹石墨復合電磁屏蔽材料，其在 2～18 GHz 頻率范圍，屏蔽效能為 25.7 dB，有一定屏蔽效果。阿拉善職業技術學院的傘桂艷等[27]以丙烯腈-丙烯酸丁酯-苯乙烯共聚物（AAS）為基體，采用溶液分散法制備了 AAS/功能化石墨烯（GPNs）復合材料，在2～18 GHz 頻率范圍，電磁屏蔽效能大于 20 dB。大連工業大學的王艷等[28]采用 3D 打印和浸漬的方法，制備了多孔、高內表面積的 CNTs/聚乳酸 PLA 復合電磁屏蔽材料，提高了吸收損耗和多次反射衰減，屏蔽效能達 40 dB，屏蔽性能中等。大連工業大學的趙新宇等[29]制備連續通孔的 CNTs/環氧樹脂復合電磁屏蔽材料，提高吸收損耗，也降低了材料密度，電磁屏蔽效能達 39.2 dB，屏蔽性能中等。中國民航飛行學院的秦文峰等[30]通過真空抽濾和物理粘結法，制備了多壁碳納米管 MWCNTs 導電紙/碳纖維復合電磁屏蔽材料，具有質量輕的優勢，提高了反射損耗，在 8～12 GHz 范圍內，電磁屏蔽效能達 35.2 dB，屏蔽性能中等。Li Y 等通過噴霧干燥法制備石墨烯 GN/丁苯橡膠 SBR 的納米復合材料，電磁屏蔽效能達 45 dB，屏蔽性能中等[18]。成都理工大學的劉揚等[31]以鍍 Ni-Cu-La-B 玻璃纖維、片狀鎳粉以及丙烯酸樹脂制備了電磁屏蔽復合涂料，極大地提高了反射損耗。當添加 6%玻璃纖維時，能顯著改善電磁性能；在 0.3～1 000 MHz 范圍，電磁屏蔽性能達 64.28 dB，屏蔽性能良好。同時，電磁屏蔽效能與填料的粒徑密切相關。Jalali M 等[32]分析了不同粒徑的鐵，鈷，鎳和氧化鐵納米顆粒作為填料對復合材料電磁屏蔽的影響。其中，在 8.2～12.4 GHz 范圍內，50 nm 的鐵納米顆粒能夠將碳纖維/聚合物復合材料的屏蔽效率從 30 dB 提高至 45 dB。
2.4本征型導電聚合物電磁屏蔽材料
本征型導電聚合物電磁屏蔽材料是由具有共軛鍵的絕緣高分子通過化學或電化學的方法與摻雜劑進行電荷轉移復合而成，在高分子分子鏈中產生載流子并在分子鏈間形成導電通道，從而轉變成了具有一定電導率的導體；通過反射損耗和吸收損耗實現電磁屏蔽的目的。具有密度小、耐腐蝕、強度高等優點。目前，本征型導電聚合物有聚苯 PAN、聚吡咯 PPY、聚噻吩 PTH 等。